化學機械平面化（CMP）通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，選擇性去除材料表面凸起，使晶圓達到納米級平整度。這種工藝是集成電路（IC）和微機電系統(tǒng)（MEMS）量產的核心環(huán)節(jié)，確保多層芯片結構的精確堆疊。

若表面存在微小不規(guī)則，芯片性能將大幅下降。CMP如同一位“微觀泥瓦匠"，為每一層電路鋪設的基礎平面。

CMP的關鍵消耗材料是拋光墊，其凹槽設計直接影響拋光效果。長期使用會導致凹槽堵塞或表面釉化（拋光殘留物堆積），降低工藝穩(wěn)定性。

通過無損檢測技術（如S mart 2測量系統(tǒng)），制造商可實時監(jiān)控拋光墊狀態(tài)，延長使用壽命，降低30%以上的成本。

現(xiàn)代CMP工藝依賴高精度測量設備，例如：

•凹槽深度檢測：避免因堵塞導致拋光不均；

•釉化層分析：及時清潔或更換拋光墊。

這些技術從加工源頭把控質量，推動半導體制造向更高良率邁進。

CMP技術雖隱藏在芯片背后，卻是摩爾定律持續(xù)發(fā)展的基石。未來，隨著3D芯片堆疊技術的普及，對平整度的要求將更趨嚴苛。而創(chuàng)新，永遠始于毫厘之間的精益求精。Sensofar三維共聚焦白光干涉儀