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技術文章
TECHNICAL ARTICLES在微納加工領域,1μm及以下線寬電極的制備一直是科研工作者面臨的重大挑戰。傳統光刻技術受限于勻膠工藝、光學衍射極限等因素,難以實現高精度圖形化。今天,我們將揭秘如何利用澤攸科技DMD無掩膜光刻機突破這一技術瓶頸!
三大關鍵技術突破
1.精密勻膠控制
•采用AR-P-5350光刻膠,嚴格控制膠層厚度在1μm
•"低速-高速"兩步旋涂法,確保膠膜均勻性
•精確控制前烘溫度和時間,提升膠膜附著力
2.智能曝光系統
•通過QCAD/Klayout軟件實現圖形原位設計
•智能劑量優化算法自動匹配最佳曝光參數
•高精度對位系統確保圖形轉移精度
3.創新顯影工藝
•專用顯影液配方實現高分辨率圖形顯影
•去離子水定影技術減少圖形缺陷
•準剝離工藝保證電極完整性
澤攸科技DMD無掩膜光刻機核心優勢
•采用高分辨率投影物鏡,突破光學衍射極限
•數字微鏡器件(DMD)實現快速圖形切換
•智能曝光控制系統確保工藝穩定性
•支持1μm及以下線寬圖形制備
•操作簡便,大幅提升科研效率
應用案例
該技術已成功應用于:
•二維材料器件電極制備
•納米電子器件研發
•微納傳感器制造
•量子器件研究
技術展望
隨著微納加工技術的不斷發展,澤攸科技將持續優化無掩膜光刻技術,為科研工作者提供更高效、更精準的微納加工解決方案。