技術優勢體現在測量光刻膠圖形或薄膜臺階時，S lynx的VSI模式能提供亞納米級的垂直分辨率，有助于精確測量納米級的膜厚變化。其非接觸式測量避免了探針式輪廓儀可能對脆弱結構（如光刻膠）造成的損傷。對于具有高深寬比或陡峭側壁的MEMS結構，共聚焦模式能夠提供有效的形貌信息。測量注意事項測量反射率差異很大的材料（如金屬線條 on 介質層）時，可能需要調整光照強度或使用中性密度濾光片來優化信號。對于非常光滑的晶圓表面，確保樣品臺清潔和避免振動對獲得穩定的干涉條紋有影響。總結Sensofar S lynx輪廓儀為微電子領域的表面形貌監測提供了一種測量手段。其在薄膜厚度、粗糙度、三維結構尺寸等方面的測量能力，可用于支持工藝開發和質量控制流程。
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