LinKam TS1500高溫?zé)崤_核心參數(shù)解析

產(chǎn)品簡介

LinKam TS1500高溫?zé)崤_核心參數(shù)解析
Linkam TS1500 屬于實(shí)驗(yàn)室級高溫?zé)崤_，主打 “寬溫度范圍 + 精準(zhǔn)控溫" 特性，適配材料科學(xué)、地質(zhì)研究、電子元件測試等場景。

產(chǎn)品型號：

更新時(shí)間：2025-10-23

廠商性質(zhì)：代理商

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LinKam TS1500高溫?zé)崤_核心參數(shù)解析

一、產(chǎn)品定位與型號信息

Linkam TS1500 屬于實(shí)驗(yàn)室級高溫?zé)崤_，主打 “寬溫度范圍 + 精準(zhǔn)控溫" 特性，適配材料科學(xué)、地質(zhì)研究、電子元件測試等場景。該型號為單樣品加熱臺設(shè)計(jì)，無衍生子型號，核心區(qū)別在于可選配的樣品夾具（如陶瓷夾具、金屬夾具）與溫度傳感器類型（K 型熱電偶、R 型熱電偶）。設(shè)備整體尺寸為 200mm×180mm×120mm（長 × 寬 × 高），重量約 5kg，采用臺式獨(dú)立結(jié)構(gòu)，可與光學(xué)顯微鏡、拉曼光譜儀等設(shè)備聯(lián)用，滿足多維度檢測需求。

二、核心參數(shù)與性能關(guān)聯(lián)

（一）溫度控制參數(shù)

TS1500 的溫度范圍覆蓋室溫至 1500℃，升溫速率支持 0.1℃/min-100℃/min 可調(diào)，不同速率適配不同實(shí)驗(yàn)需求：低速升溫（0.1℃/min-1℃/min）適合觀察材料相變過程（如金屬合金的固態(tài)相變），可精準(zhǔn)捕捉相變溫度點(diǎn)；高速升溫（50℃/min-100℃/min）適用于快速燒結(jié)、熔融實(shí)驗(yàn)（如陶瓷材料快速燒結(jié)），縮短實(shí)驗(yàn)周期。降溫速率通過自然冷卻或選配冷卻附件實(shí)現(xiàn)，自然冷卻時(shí)從 1500℃降至室溫約需 2 小時(shí)，搭配強(qiáng)制風(fēng)冷附件可縮短至 1 小時(shí)。

控溫精度是核心性能指標(biāo)，在 50℃-1000℃范圍內(nèi)，控溫精度為 ±0.1℃；1000℃-1500℃范圍內(nèi)，控溫精度為 ±0.5℃，可通過軟件實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度波動曲線，確保實(shí)驗(yàn)條件穩(wěn)定性。溫度均勻性方面，樣品加熱區(qū)域（直徑 10mm）內(nèi)的溫度差異≤1℃，避免因局部溫差導(dǎo)致材料反應(yīng)不均，尤其適合薄膜、薄片類樣品的實(shí)驗(yàn)。

（二）結(jié)構(gòu)與安全參數(shù)

樣品加熱區(qū)域采用圓形設(shè)計(jì)，直徑 10mm，深度 2mm，可容納最大厚度 1mm 的樣品（如陶瓷薄片、金屬箔片），加熱元件為嵌入型鉑電阻加熱器，功率 500W，可快速實(shí)現(xiàn)溫度躍升。設(shè)備配備雙重溫度保護(hù)機(jī)制：一級保護(hù)為軟件設(shè)定溫度上限（可設(shè) 1550℃，超過即停止加熱）；二級保護(hù)為硬件熔斷保護(hù)（熔斷溫度 1600℃），防止溫度失控?fù)p壞設(shè)備或樣品。

散熱結(jié)構(gòu)方面，機(jī)身外殼采用鏤空設(shè)計(jì)，配合內(nèi)部散熱風(fēng)扇（轉(zhuǎn)速 2000r/min），可將外殼溫度控制在 45℃以下，避免實(shí)驗(yàn)人員燙傷。電源參數(shù)為 AC 220V±10%、50Hz，工作電流≤3A，適配常規(guī)實(shí)驗(yàn)室供電環(huán)境，無需專用高壓電源。

三、參數(shù)與應(yīng)用場景的適配

在材料相變研究中，如鋁合金時(shí)效相變實(shí)驗(yàn)，需設(shè)置低速升溫（0.5℃/min），從室溫升至 500℃，控溫精度 ±0.1℃可精準(zhǔn)記錄相變溫度（如 200℃時(shí)的 GP 區(qū)析出溫度），通過顯微鏡觀察相變過程中材料微觀結(jié)構(gòu)的變化；在陶瓷燒結(jié)實(shí)驗(yàn)中，采用高速升溫（80℃/min）至 1400℃，保溫 2 小時(shí)，控溫精度 ±0.5℃可維持燒結(jié)溫度穩(wěn)定，避免溫度波動導(dǎo)致陶瓷變形。

電子元件耐高溫測試場景中，如芯片封裝材料的耐高溫性測試，將樣品置于加熱區(qū)域，以 10℃/min 速率升溫至 1200℃，實(shí)時(shí)監(jiān)測材料是否出現(xiàn)開裂、熔融，控溫精度 ±0.1℃（1000℃以下）可準(zhǔn)確判斷材料的耐高溫極限；地質(zhì)樣品熔融實(shí)驗(yàn)中，如玄武巖熔融溫度測試，需升溫至 1500℃，控溫精度 ±0.5℃可記錄熔融開始與全熔融的溫度點(diǎn)，為地質(zhì)演化研究提供數(shù)據(jù)支持。

四、參數(shù)調(diào)整的操作邏輯

實(shí)際操作中，參數(shù)調(diào)整需遵循 “實(shí)驗(yàn)?zāi)繕?biāo) - 速率 - 精度" 匹配原則：首先根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求確定目標(biāo)溫度（如相變實(shí)驗(yàn)需覆蓋相變區(qū)間，燒結(jié)實(shí)驗(yàn)需達(dá)到燒結(jié)溫度）；其次選擇升溫速率（低速適配需精準(zhǔn)記錄溫度點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)，高速適配需快速升溫的實(shí)驗(yàn)）；最后確認(rèn)控溫精度（高溫段需接受稍寬的精度范圍）。例如進(jìn)行聚合物熔融實(shí)驗(yàn)時(shí)，目標(biāo)溫度設(shè)為 300℃（覆蓋聚合物熔融區(qū)間），升溫速率設(shè)為 5℃/min（兼顧效率與數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性），控溫精度 ±0.1℃可精準(zhǔn)記錄熔融溫度。

通過合理匹配參數(shù)與實(shí)驗(yàn)場景，TS1500 可在不同領(lǐng)域的高溫實(shí)驗(yàn)中發(fā)揮穩(wěn)定性能，為科研與工業(yè)測試提供可靠的溫度控制支持。

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