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技術文章
TECHNICAL ARTICLES白光干涉儀是一種基于寬帶光源的精密測量儀器，其核心原理在于利用低相干光的干涉特性，實現對樣品表面形貌或薄膜厚度的高精度、非接觸測量。與單色光干涉不同，白光干涉因其寬光譜特性，使得干涉現象僅在光程差極小范圍內發生，這一特性被廣泛應用于微觀形貌檢測、光學薄膜表征及微結構分析等領域。其關鍵技術正是基于光譜干涉模式的生成與解析。一、光譜干涉的物理基礎當一束白光（寬帶光源）通過分束鏡分為兩束，一束射向參考鏡，另一束射向待測樣品后，兩束光重新匯合并發生干涉。由于白光相干長度極短（通常僅為...
在微納加工領域，1μm及以下線寬電極的制備一直是科研工作者面臨的重大挑戰。傳統光刻技術受限于勻膠工藝、光學衍射極限等因素，難以實現高精度圖形化。今天，我們將揭秘如何利用澤攸科技DMD無掩膜光刻機突破這一技術瓶頸！三大關鍵技術突破1.精密勻膠控制?采用AR-P-5350光刻膠，嚴格控制膠層厚度在1μm?"低速-高速"兩步旋涂法，確保膠膜均勻性?精確控制前烘溫度和時間，提升膠膜附著力2.智能曝光系統?通過QCAD/Klayout軟件實現圖形原位設計?智能劑量優化算法自動匹配最佳曝...
在微納制造和精密測量領域，高深寬比結構的精確測量一直是技術難點。本文將深入探討數值孔徑(NA)與深寬比的關系，以及如何選擇合適的光學系統來解決這一難題。數值孔徑(NA)與深寬比的關系數值孔徑(NA)是決定光學系統分辨率的關鍵參數，它直接影響物鏡的消位置色差能力和測量性能。從圖中可見：?NA越大：通光量越大，進光量減少，適合測量角度信息，具有更好的水平分辨率?NA越小：通光量越小，進光量增加，更適合測量寬深比較大的樣品應用案例一：深孔結構測量在深孔測量中，結構光路受限導致光強衰...
西班牙Sensofar三維共聚焦白光干涉儀(以旗艦型Sneox為例)的優點集中體現在多技術融合、無運動部件設計、超高速掃描、全尺度表面覆蓋、真彩色成像五大核心領域，以下為具體分析：多技術融合：一機覆蓋全場景需求Sneox創新性地將共聚焦顯微技術、白光干涉技術、相位差干涉技術和多焦面疊加技術集成于同一測量頭。用戶無需更換硬件或插拔模塊，僅通過軟件即可自動切換測量模式：共聚焦模式：以0.10μm橫向分辨率實現臨界尺寸測量，150倍物鏡下可測70°光滑表面斜率(粗糙表面達86°)；...
在航空航天、電子器件等領域，Cu-Ni-Sn合金憑借高強度、抗腐蝕、安全無毒等優勢，成為關鍵部件的“優選材料”——比如高功率密度柴油機的連桿襯套，就依賴其優異性能保障運行。但長期以來，傳統鑄造工藝始終受困于“枝晶偏析”難題，嚴重制約合金性能提升。近日，中北大學研究團隊借助澤攸科技ZEM18臺式掃描電鏡，開展放電等離子燒結（SPS）制備Cu-6Ni-6Sn合金的系統研究，不僅成功破解偏析困境，更驗證了短流程制備技術的可行性。今天，我們就來拆解這項研究的核心突破，以及ZEM18如...
一、EUV掩模：芯片制造的“光學模板”與傳統透射式光掩模不同，EUV掩模采用反射式設計（因EUV光易被材料吸收）。其表面吸收層的高度變化需精確控制，才能實現13.5nm極紫外光的精準反射與衍射。關鍵挑戰：?吸收層臺階高度誤差需?多層膜表面粗糙度要求二、Sneox測量系統：亞納米精度的三大突破1.白光干涉技術通過分析反射光干涉條紋的相位變化，實現三維形貌納米級重建，可精準捕捉吸收層微結構：2.0.01nm縱向分辨率相當于1個硅原子直徑的1/20，能檢測到肉眼不可見的膜層凸起或凹...
一、CMP：芯片制造的“精密地基”化學機械平面化（CMP）通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用，選擇性去除材料表面凸起，使晶圓達到納米級平整度。這種工藝是集成電路（IC）和微機電系統（MEMS）量產的核心環節，確保多層芯片結構的精確堆疊。若表面存在微小不規則，芯片性能將大幅下降。CMP如同一位“微觀泥瓦匠”，為每一層電路鋪設的基礎平面。二、拋光墊：CMP的“隱形功臣”CMP的關鍵消耗材料是拋光墊，其凹槽設計直接影響拋光效果。長期使用會導致凹槽堵塞或表面釉化（拋光殘留物堆積），降低...
在航空航天、汽車制造、半導體等高級工業領域，材料的微觀組織結構直接決定其力學性能、耐蝕性及使用壽命。從金屬合金的晶粒度到復合材料的界面結合，從涂層材料的孔隙率到焊接接頭的相組成，這些“隱形特征”需通過金相分析才能被精準捕捉。徠卡金相顯微鏡憑借高分辨率光學系統、多模態成像技術及智能化分析軟件，成為材料科學家與工業質檢工程師的“微觀手術刀”，在0.1微米的尺度上雕刻出材料性能的“基因圖譜”。一、超高清成像：從“模糊晶界”到“原子級襯度”的光學突破傳統金相顯微鏡在觀察高碳鋼、鈦合金...